第378章 第378节 （2/4）

他的目光落在屏幕上，眼神锐利如鹰。

“如此精密的3D结构，对漏电控制和电子迁移率的要求，都是天文数字。”

“以我们现有的、以硅为基础的材料科学体系，根本无法制造出符合其要求的、兼具高介电常数和低漏电率的栅极电介质，也无法解决短沟道效应带来的量子隧穿问题。除非……”

他顿了顿，每一个字都如同重锤，敲击在所有人的心上：“除非您掌握了全新的合成材料。否则，这幅美轮美奂的设计图，恕我直言，就只是一个永远无法实现的空中楼阁。”

他的话专业、冷静，直指所有问题的核心。

这番话让刚刚还沉浸在无尽震撼中的众人，稍微恢复了一丝理智。

没错，设计图再惊艳，如果造不出来，那也毫无意义，反而更像一个拙劣的骗局。

西园寺诚仿佛看到了一线生机，满怀期待地看向四宫青龙，希望这位权威能够将藤原诚司的谎言戳破。

然而，面对质询，藤原诚司的脸上，平静如初。

“材料？”

他再次对着台下的女秘书，随意地抬了抬下巴。

“给他们看。”

女秘书立刻会意，在笔记本电脑上轻点，将U里的第二份资料调了出来。

屏幕上的FinFET架构图瞬间切换。

取而代之的，是几个复杂到令人眼花缭乱的化学分子式，以及旁边标注的一系列物理特性数据。

【高栅介质材料：HfSiON （氮氧化铪硅）——介电常数：~25，带隙：~5。8eV。。。】

【应变硅技术：SiGe（硅锗）源/漏极——晶格失配度：4。2%，载流子迁移率提升：70%。。。】

【。。。。。。】

如果说，刚才的设计图，是对所有人视觉和认知维度的第一次冲击。

“嘶！？”

四宫青龙倒吸一口亮起，脸上的儒雅和冷静荡然无存。

他失神地喃喃自语，连金丝眼镜滑落到了鼻尖都毫无察觉。

“氮氧化铪硅……应变硅锗……竟然真的……做出来了……”

会场内，彻底陷入了死寂。

西园寺诚脸上的最后一丝血色，也褪得一干二净。

他张着嘴，像一条被扔上岸的鱼，徒劳地翕动着，却发不出任何声音。

在这片死寂之中，藤原诚司终于走到了麦克风前。

他环视全场，看着那一张张呆滞、惊骇、狂热、绝望的脸，声音平淡得不带一丝烟火气。

“从今天起，藤原财阀，将独立建立一套全新的半导体生态系统。”

说完，他甚至懒得多看台下那些已经失去灵魂的躯壳一眼，便在两名不知何时出现的黑衣保镖的护卫下，转身走下舞台，在全场死一般的寂静中，扬长而去。

只留下一个，让整个行业都为之颤抖的背影。

……

……

藤原别墅，书房。

巨大的落地窗外，是东京繁华到极致的夜景，灯火汇成的璀璨星河在脚下静静流淌。