第224章 第224节 （1/4）

我打算效仿，成立上海半导体产业联盟，打算投资1000亿日元，争取五年内突破6英寸晶圆和1.5微米线程量产，我不指望完全国产，但要争取做到自主可控，我希望咱们国家半导体领域的精英尽出，一旦成功实现，我们很多事情就好办了！”

何济世又是欣赏，又是觉得意义重大，他深吸了一口气，“明远放心，我一定全力推动这件事！”

车队驶入漕河泾开发区，停在一栋不起眼的灰色建筑前——这里是上海半导体研究所，中国最先进的晶圆研发基地。

实验室里，几位穿着白大褂的工程师正围着一台老旧的设备调试，见何济世和孙明远进来，首席研究员陈国栋快步迎上。

“何市长，孙先生，欢迎指导！”

孙明远点点头，目光落在实验台上的晶圆样品上：“现在能做到几英寸？”

陈国栋苦笑：“动视半导体成功之后，我们跟着学到了不少，现在我国可以实现三英寸稳定量产，四英寸还在试制，良率不到30%。”

孙明远眉头微皱，欧美日已经全面普及六英寸晶圆，甚至八英寸技术也开始成熟。而中国连四英寸都难以量产，这意味着国产半导体在起跑线上就落后了十年，差距太大了！

“主要卡在哪里？”孙明远问。

“设备、材料、工艺，全都有问题。”陈国栋叹了口气，“光刻机依赖进口，硅衬底纯度不够，蚀刻和掺杂工艺也不稳定。”

孙明远拿起一片三英寸晶圆，对着灯光观察：“如果现在投入足够资金，多久能突破四英寸量产？”

“如果有进口设备和专家指导，两年内应该可以。”陈国栋谨慎地回答。

“六英寸呢？”

实验室里瞬间安静。

陈国栋和几位工程师交换了下眼神，最终艰难地开口：“至少五年……而且需要持续投入，风险很大。”

“说一说难点主要在哪里？”

陈国栋一一介绍起来，要实现六英寸硅晶圆国产化，第一关是高纯度多晶硅生产，技术难点：半导体级多晶硅纯度需达到9N级别，国内当时仅能生产太阳能级（5N-6N）。

这就需要改良西门子法设备（德国Wacker或日本Tokuyama技术），需要的投资额万-1亿美元（含技术引进、尾气回收系统等）。

第二关是单晶硅生长，技术难点：晶棒直径控制（150mm）、缺陷密度（位错

第三关是晶圆切割、研磨、抛光，技术难点：切割精度（厚度偏差

第四关是检测与质量控制，技术难点：表面缺陷检测（KLA-Tencor）、电阻率测试（四探针法），投资需求万-3000万美元（含洁净室建设）。

所以6英寸晶圆国产化总投资：1.1亿-2.6亿美元，如果考虑到很多设备存在封锁，需要想其他办法，再加上国内一开始生产缺陷，3亿美元的投资是最起码的

陈国栋说的这么清楚，孙明远来了兴趣，让他说一说实现1.5微米芯片量产线需要多少投资，陈国栋又一一道来。

（1）光刻设备，需要引进1.5微米制程需步进式光刻机（如GCA 8000、Nikon NSR-1505EX），不过国内无自主技术，完全依赖进口，而且这个关键设备，受巴统限制。

这种光刻机每台约500万-1000万美元，需3-5台，投资额万-5000万美元，再加上打通关系，估计还要增加30%-50%投入。

（2）刻蚀与薄膜沉积，等离子刻蚀（美国AMAT或LAM Research）、CVD/PVD设备（日本TEL），刻蚀机+薄膜设备每套约300万-800万美元，需5-10套，投资额万-8000万美元。

（3）离子注入与扩散，技术难点：掺杂均匀性（离子注入机需美国Varlied Materials），每台约200万-500万美元，需3-5台，投资额：600万-2500万美元。

（4）封装与测试，技术难点：封装技术（塑料/陶瓷封装）、测试机（美国Teradyne）。

投资需求万-3000万美元。

光光这些还不够，配套产业链投资也要跟上，比如（1）高纯化学品与材料，需要电子级氢氟酸、光刻胶、高纯气体（依赖日本、美国进口），投资额万-3000万美元。

（2）洁净室与基础设施：Class 100/1000无尘车间（每平方米造价约5000-1万美元），投资额万-5000万美元（按1万估算）。

（3）研发与人才培养，比如技术引进（如与TI、东芝合作）、外派工程师培训。投资额万-3000万美元。

最后陈国栋给出了结论，还是要准备三亿美元，就这还真不一定够，说完陈国栋又带着无限期望的心情试探道，“孙先生是亿万富翁，若是愿意投资……”

孙明远笑着看向何市长，“何市长，你这个所长太老实，连骗经费都不会！”

何市长哈哈大笑，“都是计划经济出来的，经验不足！”